Предназначены для использования в фотолитографических процессах в производстве интегральных схем, масок, гибких выводных рамок на основе фольгированных диэлектриков типа ФДИ, печатных микроплат, форм и других изделий с использованием кислых и щелочных травителей металлов и сплавов, а также для гальванического осаждения металлов (меди, стали, хрома и других). Обеспечивают формирование пленки методом окунания, центрифугирования или валковым методом. Фоторезисты серии ФН-11 являются аналогами по применению фоторезистов ФН-11Сн и ФН-11СКн. Возможен выпуск любой модификации, обеспечивающей толщину пленок от 1 до 3,5 мкм.
Рекомендуемый проявитель - уайт-спирит.
Срок гарантийного хранения фоторезистов ФН-11С и ФН-11С-К увеличен с 6 до 12 месяцев.
| Наименование показателя | Норма для ФН-11С | Норма для ФН-11С-К |
|---|---|---|
| Внешний вид | Вязкая жидкость коричневого цвета | |
| Кинематическая вязкость,мм2/с | 14 - 19 | 14 – 19* |
| Массовая доля сухого остатка, % | 13-17 | 28-32 |
| Разрешающая способность пленки фоторезиста, мкм | 10 | 10* |
| Внешний вид пленки фоторезиста | Прозрачная, блестящая, без разрывов | |
| Норма показателя для фоторезиста ФН-11С-К, разбавленного ксилолом в объемном соотношении 1:1. | ||
| Наименование операции | Режимы проведения операции |
|---|---|
| Предварительная подготовка поверхности подложки | Очистка поверхности подложки от механических и химических загрязнений |
|
Нанесение фоторезиста: - способ центрифугирования - способ регулируемого вытягивания |
Частота вращения ротора центрифуги 900-1100 мин1. Длительность вращения 30-60 с. Скорость вытягивания 180-250 мм/мин. |
|
Сушка пленки фоторезиста: - конвекционные термошкафы - установка ИК-сушки |
Температура 80-95 °С, длительность 20-40 мин. 1 зона 60-80 °С, II зона 80-100 °С, длительность 3-10 мин. |
| Экспонирование пленки фоторезиста актиничным излучением (источник излучения – лампы ДРШ, ПРК, ЛУФ и др.)* | Освещенность в области экспонирования 20000-50000 люкс (интенсивность излучения 12 мвт/см2. Длительность экспонирования пленки толщиной 1,0-1,5 мкм – 5-20 с. |
|
Проявление скрытого изображения: обработка в двух последовательных ваннах с уайт-спиритом - 1 ванна уайт-спирита - 2 ванна уайт-спирита - 3 ополаскивание в ванне с изопропиловым спиртом |
1 мин 45 с 15 с 30-60 с |
|
Термообработка проявленного рельефа: - конвекционные термошкафы - установки ИК-сушки |
Температура 120-180 °С. Длительность 30-60 мин Температура 130-150 °С. Длительность 6-10 мин |
| Удаление фоторезиста **: | |
| - обработка подложек с пленкой в ванне со смывающим раствором «Форсан» | Температура раствора 120-125 °С, длительность обработки 5-15 мин |
| - промывка подложки в органических растворителях (уайт-спирит, ксилол, толуол и др.) не менее, чем в 2-х ваннах | 20-60 с |
| - водная промывка |
20-60 с |
| - сушка от следов влаги | 20-60 с |
* * Указанные режимы проведения фотолитографического процесса являются ориентировочными и могут быть откорректированы в зависимости от технологического оборудования предприятия-потребителя и технических требований, предъявляемых к защитной маске.
** Для удаления фоторезистов могут быть использованы толуол, ксилол, трихлорэтилен, уксусная кислота, неорганические кислоты.
При использовании фоторезиста ФН-11С-К рекомендуется разбавления выпускной формы фоторезиста ксилолом (ГОСТ 9410-78); степень разбавления определяется требованиями технологического процесса изготовления изделий. После разбавления фоторезиста раствор следует выдержать при перемешивании в течение 2-4 мин и отфильтровать.
