Фоторезисты негативные серии ФН-11

Фоторезисты негативные серии ФН-11 (ФН-11С, ФН-11СК)

ТУ 2378-025-05784466-2004

Предназначены для использования в фотолитографических процессах в производстве интегральных схем, масок, гибких выводных рамок на основе фольгированных диэлектриков типа ФДИ, печатных микроплат, форм и других изделий с использованием кислых и щелочных травителей металлов и сплавов, а также для гальванического осаждения металлов (меди, стали, хрома и других). Обеспечивают формирование пленки методом окунания, центрифугирования или валковым методом. Фоторезисты серии ФН-11 являются аналогами по применению фоторезистов ФН-11Сн и ФН-11СКн. Возможен выпуск любой модификации, обеспечивающей толщину пленок от 1 до 3,5 мкм.

Рекомендуемый проявитель - уайт-спирит.

Срок гарантийного хранения фоторезистов ФН-11С и ФН-11С-К увеличен с 6 до 12 месяцев.

В связи с расширением сырьевой базы для производства фоторезиста марки ФН-11С-К внесены изменения в ТУ 2378-025-05784466-2004 «ФОТОРЕЗИСТЫ НЕГАТИВНЫЕ ФН-11С и ФН-11С-К». Интервал показателя «Массовая доля сухого остатка» для ФН-11С-К увеличен с «28 – 32» до «26 – 34» (извещение № 5784466-2/1600-2018 об изменении технических условий ТУ 2378-025-05784466-2004 «ФОТОРЕЗИСТЫ НЕГАТИВНЫЕ ФН-11С и ФН-11С-К». Дата введения: 01 ноября 2018 г)

Наименование показателя	Норма для ФН-11С	Норма для ФН-11С-К
Внешний вид	Вязкая жидкость коричневого цвета
Кинематическая вязкость,мм2/с	14 - 19	14 – 19*
Массовая доля сухого остатка, %	13-17	26-34
Разрешающая способность пленки фоторезиста, мкм	10	10*
Внешний вид пленки фоторезиста	Прозрачная, блестящая, без разрывов
Норма показателя для фоторезиста ФН-11С-К, разбавленного ксилолом в объемном соотношении 1:1.

Рекомендации по применению ФН-11С и ФН-11С-К

Наименование операции	Режимы проведения операции
Предварительная подготовка поверхности подложки	Очистка поверхности подложки от механических и химических загрязнений
Нанесение фоторезиста: - способ центрифугирования - способ регулируемого вытягивания	Частота вращения ротора центрифуги 900-1100 мин1. Длительность вращения 30-60 с. Скорость вытягивания 180-250 мм/мин.
Сушка пленки фоторезиста: - конвекционные термошкафы - установка ИК-сушки	Температура 80-95 °С, длительность 20-40 мин. 1 зона 60-80 °С, II зона 80-100 °С, длительность 3-10 мин.
Экспонирование пленки фоторезиста актиничным излучением (источник излучения – лампы ДРШ, ПРК, ЛУФ и др.)*	Освещенность в области экспонирования 20000-50000 люкс (интенсивность излучения 12 мвт/см2. Длительность экспонирования пленки толщиной 1,0-1,5 мкм – 5-20 с.
Проявление скрытого изображения: обработка в двух последовательных ваннах с уайт-спиритом - 1 ванна уайт-спирита - 2 ванна уайт-спирита - 3 ополаскивание в ванне с изопропиловым спиртом	1 мин 45 с 15 с 30-60 с
Термообработка проявленного рельефа: - конвекционные термошкафы - установки ИК-сушки	Температура 120-180 °С. Длительность 30-60 мин Температура 130-150 °С. Длительность 6-10 мин
Удаление фоторезиста **:
- обработка подложек с пленкой в ванне со смывающим раствором «Форсан»	Температура раствора 120-125 °С, длительность обработки 5-15 мин
- промывка подложки в органических растворителях (уайт-спирит, ксилол, толуол и др.) не менее, чем в 2-х ваннах	20-60 с
- водная промывка	20-60 с
- сушка от следов влаги	20-60 с

* * Указанные режимы проведения фотолитографического процесса являются ориентировочными и могут быть откорректированы в зависимости от технологического оборудования предприятия-потребителя и технических требований, предъявляемых к защитной маске.

** Для удаления фоторезистов могут быть использованы толуол, ксилол, трихлорэтилен, уксусная кислота, неорганические кислоты.

При использовании фоторезиста ФН-11С-К рекомендуется разбавления выпускной формы фоторезиста ксилолом (ГОСТ 9410-78); степень разбавления определяется требованиями технологического процесса изготовления изделий. После разбавления фоторезиста раствор следует выдержать при перемешивании в течение 2-4 мин и отфильтровать.